nachdem mir hier seiten der Treffleitungen (Herr Münz) deutlich klar gemacht wurde, dass man poilitische Themen nicht mehr dulden wird, offenbare ich hiermit meine mich eigentlich interessierenden Themen aus dem Bereich Automobilbau (allerdinges in der Hoffnung, auch seitens der Treffleitung entsprechen konstruktive Beiträge zu erhalten).
Wie jeder weiß, besitzen LED's eine verbesserete Reaktionszeit gegenüber konventionellen Signalgebern. Allerdings spielt die Lichtausbeute immer noch eine problematische Rolle, welches man nur durch die Anzahl der Dioden kompensieren kann. Wie wohl auch jeder weiß, werden die entsprechend zigfach lagigen Schichten der Halbleiter aus III/V Material der Erregerstruktur heutzutage in viereckige Formen gebrochen. Was aber wäre der Effekt, wenn die entsprechen Wafer aus dem III/V Material per Trench Etch Verfahren vereinzelt würden? Erstens wäre hiermit eine homogene Seitenfläche der Faxeten gewährleistet und zweitens bestände mittels der Litho-Prozesse die Möglichkeit des multiplen Lichtaustrittes. Eigendlich müsste sich die Lichtausbeute deutlich erhöhen. (ich habe es mal einfach gehalten, weil die eigentliche Problematik das Handling der Wafer betreffen würde). Aber was meint ihr, wie sich die Elemente verhalten würden?
Andreas
Wer es nicht verstanden hat, mag getröstet sein. Zwar hat meine Fragen einen ernsthaften Bezug, allerdings ist sie für manche wohl so schwer verständlich, wie für mich manche Fragen des Motortunings. Daher tummele ich mich zuvorderst im Geplauder.
Der Forumsleitung sei gesagt, dass diese Frage bei der Beleuchtung zukünftiger BMW's eine herausragende Rolle spielen wird. (Man verweise nur mal Richtung Regensburg)
Bin auf konstruktive Beiträge gespannt. Andernfalls muss ich vermuten, dass es sich bei den meisten Usern nur um Personen handelt, die eine zwanglose Feierabendvergnügung suchen. (wie übrigens auch ich).
Andreas
Edit: Wer nähere Informationen braucht, den kann ich gerne die Aktennummern entsprechender PCT-Dokumente zukommen lassen.